制备北京氮化锰的优势

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      传统硅酸亚铁锂的电子电导率低，从而造成其低的初始容量和循环衰减快，限制了进一步发展。我们还提供一种新的技术方案，采用北京氮化锰修饰碳包覆可以提高材料的电子电导率，提升其放电比容量和循环稳定性。通过以下技术方案实现：
      北京氮化锰修饰碳包覆硅酸亚铁锂的制备方法，该方法包括如下步骤：
      （1）、按Li：Fe：Si摩尔比为2:1:1称取锂化合物、铁化合物、硅化合物，将锂化合物、铁化合物溶解在去离子水中，转移到水热釜中，加入硅化合物和原料质量分数1-5%的抗坏血酸，再加入原料质量分数2-30%的碳源，120-200℃下反应4-20h后，用去离子水洗涤至中性，在50-90℃下烘干成粉末。
      （2）、在步骤（1）粉末中，按锂、锰摩尔比为1:（0.01-0.1）加入锰源置于球磨设备中球磨4-10h得到硅酸亚铁锂前驱体粉末。
      （3）、将步骤（2）中的前驱体粉末在高纯氮气（≥99.99%）气氛保护下600-800℃氮化烧结4-8h，再通入惰性气氛600-800℃烧结5-15h，自然冷却研磨得到目标产物氮化锰修饰碳包覆硅酸亚铁锂正极材料。

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