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制备北京氮化锰的优势

来源:http://beijing.ayhayj.com/news928548.html发布时间:2022/9/21 0:00:00

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      传统硅酸亚铁锂的电子电导率低,从而造成其低的初始容量和循环衰减快,限制了进一步发展。我们还提供一种新的技术方案,采用北京氮化锰修饰碳包覆可以提高材料的电子电导率,提升其放电比容量和循环稳定性。通过以下技术方案实现:
      北京氮化锰修饰碳包覆硅酸亚铁锂的制备方法,该方法包括如下步骤:
      (1)、按Li:Fe:Si摩尔比为2:1:1称取锂化合物、铁化合物、硅化合物,将锂化合物、铁化合物溶解在去离子水中,转移到水热釜中,加入硅化合物和原料质量分数1-5%的抗坏血酸,再加入原料质量分数2-30%的碳源,120-200℃下反应4-20h后,用去离子水洗涤至中性,在50-90℃下烘干成粉末。
      (2)、在步骤(1)粉末中,按锂、锰摩尔比为1:(0.01-0.1)加入锰源置于球磨设备中球磨4-10h得到硅酸亚铁锂前驱体粉末。
      (3)、将步骤(2)中的前驱体粉末在高纯氮气(≥99.99%)气氛保护下600-800℃氮化烧结4-8h,再通入惰性气氛600-800℃烧结5-15h,自然冷却研磨得到目标产物氮化锰修饰碳包覆硅酸亚铁锂正极材料。

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